식각공정1 SiC(실리콘카바이드)링 "생각없이 읽다보면 재미있는 금융지식!" SiC링은 주로 반도체 공정중 특히 메모리 반도체 건식 식각(Dry Etch) 공정에 사용 메모리 반도체 중 특히 3D NAND공정에 사용 3D NAND 공정은 층을 쌓아해야하기 때문에 식각을 여러번 하기 때문. 식각공정은 식각 반응을 일으키는 물질의 상태에 따라 습식(Wet)과 건식(Dry)으로 나뉨. 습식 식각(Wet Etching)은 용액을 이용 화학적인 반응을 통해 식각, 건식 식각(Dry Etching)은 반응성 기체(Gas), 이온 등을 이용해 특정 부위를 제거. 습식 식각은 건식에 비해 비용이 저렴하고, 식각 속도가 빠르며, 공정도 단순한 장점, 건식 식각에 비해 상대적으로 정확성이 낮고, 식각에 사용한 화학 물질로 인해 오염 문제가 발생. 건식 식각.. 2021. 6. 10. 이전 1 다음 반응형
